【CNMO科技消息】1月8日,TrendForce集邦咨询的最新调查报告显示,英伟达2025年第三季对其即将推出的Rubin平台(第三代GPU架构)的HBM4存储技术规格进行了上调。此次调整将对HBM(高带宽存储器)单针速率的要求提高至高于11Gbps,这一变动迫使三大HBM供应商(SK海力士、三星、美光)必须修正设计并重新送样其HBM4产品。该机
【CNMO科技消息】据外媒报道,随着英伟达正式量产搭载HBM4(高带宽内存)的AI芯片“VeraRubin”,全球存储巨头美光科技正大幅加码该领域产能布局。据行业消息,美光计划在2026年将HBM4月产能提升至1万5000片晶圆规模,占其整体HBM总产能(约5万5000片/月)的近30%,显示出其全力押注下一代AI内存市场的战略意图。HBM4作为专
【CNMO科技消息】近日,据韩媒报道,SK海力士已将位于韩国清州的M15X新工厂(被誉为“HBM4专用工厂”)的量产时间表大幅提前4个月,计划于明年2月开始投入用于HBM4的1b纳米制程DRAM量产晶圆,原定时间为6月。初期产能约1万片晶圆,并计划在年底前扩大至数万片规模。目前,相关生产设备正在加紧投入与安装。这一激进举措被普
【CNMO科技消息】CNMO从韩媒获悉,韩国两大存储芯片巨头三星和SK海力士,已进入向英伟达供应HBM4的最终协调阶段。根据行业信息,两家公司均已向英伟达下一代人工智能加速器“Rubin”提供了付费的最终HBM4样品。三星HBM4据悉,付费样品供应通常意味着产品性能已接近客户要求,被视为正式合同签订前的最后信号。尽管最终的质量
【CNMO科技消息】CNMO从韩媒获悉,三星正加速扩大其10纳米级第六代(1c)DRAM的生产规模,目标是为其主要客户英伟达供应下一代高带宽内存HBM4。这一举措旨在确保三星能在2026年下半年英伟达推出搭载HBM4的RubinGPU时,成为“首选供应商”。HBM4目前,三星已向英伟达交付HBM4样品,并透露其样品运行速度超过11Gbps,超过了客
【CNMO科技消息】CNMO从韩媒获悉,三星已完成第六代高带宽内存(HBM4)的开发,并内部通过了量产准备审批(PRA),这是量产前的最终阶段。该突破意味着其制造竞争力已直接转化为盈利能力,而非仅停留在技术完成层面。据悉,三星通过将10纳米级第六代(1c)DRAM与采用4纳米逻辑工艺制造的基础芯片结合,解决了发热和速度问题
【CNMO科技消息】近日,有外媒报道称,全球三大存储巨头SK海力士、美光科技和三星电子正围绕价值1000亿美元的HBM4市场展开激烈竞争。CNMO注意到,美光科技近期宣布已开始送样下一代HBM4内存,其带宽突破2.8TB/s,引脚速度超过11Gbps,大幅超越JEDEC官方标准。该公司CEO桑杰·梅赫罗特拉(SanjayMehrotra)表示,该12层堆叠产
【CNMO科技消息】据CNMO了解,三星电子近日在业绩说明会上透露,其第五代高带宽内存HBM3E改进版已完成样品供应,预计第二季度起销售规模将逐步扩大。尽管一季度受尖端半导体出口管制影响,HBM销售额触及低点,但公司预计随着新产品放量,季度业绩将呈现阶梯式复苏。三星三星电子存储业务部副社长表示,HBM3E改进版已向主要客
【CNMO科技消息】在近日举办的台积电北美技术论坛上,SK海力士向公众展示了其最新一代HBM4高带宽内存技术,并同步展出了多款面向AI和数据中心的内存新品,展现出在高端内存领域的绝对领先优势。根据官方介绍,SK海力士此次公布的HBM4规格相当亮眼。单颗容量最高可达48GB,带宽高达2.0TB/s,I/O速度达到8.0Gbps。公司计划在2
【CNMO科技消息】据韩媒报道,尽管三星电子在高带宽内存(HBM)产品的质量测试上有所进展,但其半导体部门仍面临多重挑战。业内人士指出,以8层堆叠HBM产品为例,三星的供应时间比竞争对手晚了一年以上,这使其在技术差距和市场份额的追赶上存在明显局限。在第五代HBM竞争中处于劣势的三星,正将翻身希望寄托在下一代HBM4产