- 登录
- 收藏
-
关注
-
韩国专家警告：中国和韩国的HBM技术差距仅2年
【CNMO科技消息】据韩媒报道，韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。综合多位韩国专家的判断，中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。中国企业虽尚未进入先进HBM的稳定量产供货阶段，但依托在通用DRAM上积累的生产经验，追赶节奏明显加快，韩国方面已难言高枕无忧。三星HBM高丽大学电气电子工
2026年09月28日 -
长鑫存储拟2027年量产12层HBM3E 与全球存储巨头技术差距或缩短至2至3年
【CNMO科技消息】5月28日，据半导体行业相关信息显示，国内目前正以最大DRAM厂商长鑫存储为核心，加快高带宽内存（HBM）的商用化进程，相关产业能力提升动作持续推进。SK海力士无锡工厂长鑫存储的HBM研发进度方面，目前该公司已推出HBM3样件，向华为等国内AI芯片厂商供货，现阶段正处于量产前的验证环节，同时规划明年实现1
2026年05月28日 -
外媒：中国OLED产业快速发展 技术差距与韩国不断缩小
【CNMO科技消息】根据市场研究机构Omdia的最新数据，智能手机中使用的OLED面板比例首次超过了LCD面板。今年第一季度，OLED在全球智能手机显示屏市场占据了51%的份额，以微弱优势领先LCD的49%。这一变化与去年第一季度形成鲜明对比，当时OLED的份额为41%，落后于LCD的59%。在小型和中型OLED市场中，三星显示去年依然保持领先
2024年06月26日 -
都是快充技术 为啥亮屏充电差距这么大？
【手机中国新闻】外媒AndroidAuthority最近放出一段关于快充的对比测试视频，不过该对比测试并非我们常见的熄屏情况下的快充对比，而是在亮屏情况下的快充对比，参与机型包括OPPOF1Plus（OPPOR9）、华为Mate8和三星GalaxyNote5，结果是谁赢了呢？AndroidAuthority其实还进行了几款手机在熄屏快充时产生温度的对比测试，结果
2016年05月10日
